後藤弘茂のWeekly海外ニュース – ワンチップ128GBのフラッシュメモリを実現する3D NAND技術 – PC Watch

後藤 弘茂さんによる、3D NANDに関する分析記事です。

先日のWebページ・コメンタリーで福田 昭さんによる記事で私が抱いた疑問に対する回答になりえるもので、より深く踏み込んだ解説となっています。

　「データ書き換え可能回数と価格、そして将来の大容量化への不安がなくなれば、NANDフラッシュの市場はさらに拡大する」。

SamsungのJim Elliott氏(Vice President, Memory Marketing)は、先週の3D NAND技術「V-NAND」の量産開始のアナウンスでこう宣言した。

まったくその通りです。価格が下落して、データの書き換え回数が増え、そして大容量化すれば誰だって買いますよね。

2DプレーナNANDでは、フローティングゲートに300個程度しか電子を格納できないが、3D NANDのV-NANDではチャージトラップで1,000個までの電子を格納できる。そのため、書き換え可能回数が20nm世代のプレーナNANDの10K回に対して、10倍の100K回に上がるという。

1ケタ耐久性があがるというのですから、すごいですね。しかもそれだけではなく、書き換え速度が2倍になったり、その際に必要になる電力が半分になるなど、従来とは一味違う大きなな変化が表れているようです。