【Flash Memory Summit 2013レポート】3D NANDフラッシュ、華々しくデビュー – PC Watch
Samsung Electronicsによる3D NANDの発表をメインとした福田 昭さんによる記事です。
SanDiskの講演で興味深かったのは、記憶密度(GB当たりのシリコン面積)において競合他社よりも優れていると主張したことだ。それも競合他社の3D NANDフラッシュ技術(第3世代)と、SanDisk(および東芝)の1Znm世代プレーナNANDの記憶密度はほぼ同じくらいだとする。
この場合、先端プロセスで作った密度の高い（＝記憶セルの小さい）NANDと、それと比較して緩いプロセスで作った3D NANDでは、後者の方が耐久性が高い、ということにはならないのかどうかが気になります。もっとも、SanDiskはSSDではなく、USBメモリやSDカード系のメモリがメインビジネスでしょうから、そのあたりの捉え方に差があるのかもしれません。※1
- SSDの方が書き換え回数について制約が多く、相対的にUSBメモリ・SDカード系は少ないといわれています。